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杂质半导体中的多数载流子浓度取决于 ( )

时间:2022-09-23 15:45来源:未知作者:admin 点击: 次

13.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于 ( ) A: 掺杂浓度 B: 工艺 C: 温度 D: 晶体缺陷

13.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于 ( )

A: 掺杂浓度

B: 工艺

C: 温度

D: 晶体缺陷

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