(多选题)12: 理想介质中合成场强的特点有（ ）。
A: 在x轴上任意点，电场和磁场都随时间作正弦变化，但各点的振幅不同。
B: 在任意时刻，合成电场Ey（x，t）和Hz（x，t）都在距理想导体表面的某些位置有零或最大值
C: 合成电场Ey（x，t）和Hz（x，t）存在π/2相位差
D: 在理想导体表面上，电场强度为零，磁场长度最大
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