(单选题)20: 晶体管的结构特点是( )。 A: 有一个PN结 B: 有二个PN结 C: 有三个PN结 ...
(单选题)8: 晶体管处于饱和状态时, 集电结和发射结的偏置情况为( )。 A: 发射结反偏,集电结正偏 B: 发射结、集电结均反偏 C: 发射结、集电结均正偏 D: 发射结正偏,集电结反偏 ...
(单选题)5: 已知某晶体管的ICBO 为 4μA, 当基极电流为20μA时, 集电 极电流为1mA,则该管的ICEO 约等于( )。 A: 8 mA B: 100μA C: 200μA ...
(单选题)3: 晶体管处于截 止 状 态 时, 集 电 结 和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为( )。 A: 发 射 结 反 偏,集 电 结 正 偏 B: 发 射 结、集 电 结 均 反 偏 C: 发 射 结、集 电 结 均 正 偏 D: 发 射 结 正 偏,集 电 结 反 偏 ...
(判断题)38: 电荷存储效应使晶体管高频特性变好 A: 错误 B: 正确 ...
(单选题)14: 晶体管直流脉宽调速系统比晶闸管直流调速系统动态响应速度()。 A: 高 B: 低 C: 一样 D: 不确定 ...
(单选题)9: 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A: 发射极,基极,集电极; B: 发射极,栅极,...
(判断题)21: 晶体管进入截止区工作,造成截止失真。适当减小基极电流可消除截止失真。( ) A: 错误 B: 正确 ...
(单选题)7: 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A: 发射极,基极,集电极; B: 发射极,...
(判断题)18: 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 A: 错误 B: 正确 ...